贴片电容Q值是一个无量纲数，数值上电容的电抗除以寄生电阻（ESR）。Q值随频率变化而有很大的变化，这是由於电抗和电阻都随著频率而变。频率或者容量的改变会使电抗有著大的变化，因此Q值也会跟著发生很大的变化。从公式一和二上可以体现出来：
公式一：|Z| = 1 / ( 2πf C)其中，|Z|為电抗的绝对值，单位Ω；f為频率，单位Hz；C為容量，单位元F。

公式二：Q = |Z| / ESR其中，Q代表“品质因素”，无量纲；|Z|為电抗的绝对值，单位Ω；ESR為等效串联电阻，单位Ω。

电容器应该表现為ESR為零欧姆、纯容抗性的无阻抗元件。不论何种频率，电流通过贴片电容时都会比电压提前正好90度的相位。

实际上，会或多或少存在值的ESR。一个特定贴片电容的ESR随著频率的变化而变化，并且是有等式关系的。这是由於ESR的来源是导电电极结构的特性和绝缘介质的结构特性。為了模型化分析，把ESR当成单个的串联寄生元。过去，的电容参数都是在1MHz的标準频率下测得，但当今是一个高频的世界，1MHz的条件是远远不够的。一个性能的高频电容给出的典型参数值应该為：200MHz ，ESR＝0.04Ω；900MHz， ESR＝0.10Ω；2000MHz，ESR＝0.13Ω。

用从向量网路分析器收集而得的S参数去推导ESR是不可信的。主要原因是这个资料的精度受限於网路分析器在50Ω系统中的精度（典型的± 0.05 dB测量精度在电容低到±0.01 dB低损耗区是精度不足的）。同样，用LCR仪表去测量高Q器件的Q和ESR也是不可信的。这是由於当元件的Q 值非常高时，LCR 仪表不能正确地分辨出小的贴片电阻（R）和非常大的电抗（Z）。因此，高Q电容器的ESR和Q的测量方法，一般使用作為行业标準的谐振线路测试法。